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深圳市凯斯宇科技有限公司
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产品信息
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：62 A
Rds漏源导通电阻：11毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-萘甲酸：40 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：91 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：120 S
下降时间：35 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：61 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：40 ns
典型起始延迟时间：15 ns
零件号别名：IRFR48ZTRLPBF SP001575902
单位重量：4 g
特征
先进的工艺技术
超低导通电阻
175°C工作温度
快速切换
重复雪崩允许Tjmax
无铅
描述
这款HEXFET®功率MOSFET利用的处理技术，
使每个硅面积的导通电阻极低。 此设计的其他功
能是175°C的结温，快速的开关速度和改进的重复
雪崩额定值。 这些功能相结合，使该设计成为一
种非常有效和可靠的设备，可用于多种应用。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) |
62 |
A |
|
ID @ TC = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
44 |
|
|
ID @ TC = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Package Limited) |
42 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
250 |
|
|
PD @TC = 25°C |
Power Dissipation |
91 |
W |
|
|
Linear Derating Factor |
0.61 |
W/°C |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
V |
|
EAS (Thermally limited) |
Single Pulse Avalanche Energyffi |
74 |
mJ |
|
EAS (Tested ) |
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value CID |
110 |
|
|
IAR |
Avalanche Current CD |
See Fig.12a, 12b, 15, 16 |
A |
|
EAR |
Repetitive Avalanche Energy G) |
mJ |
|
|
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 175 |
°C |
|
|
Soldering Temperature, for 10 seconds |
300 (1.6mm from case ) |
|
|
|
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw |
10 lbf•in (1.1N•m) |
|