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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:AOT10N60
概述
AOT10N60和AOTF10N60采用了先进的高电压MOSFET制造过程，目的是在热门的AC-DC应用提供
高水平的性能和稳健性。
通过提供低导通电阻RDS（ON），Ciss和Crss随着雪崩能力保证这些部件可以通过迅速进入新
的和现有的离线电源设计
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):10
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):5
功率PD(W):208
输入电容Ciss(PF):1320 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：15
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):580
导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.
上升时间Tr(ns):66 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):76 typ.
下降时间Tf(ns):64 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,10A N-沟道增强型场效应晶体管